型号 | SI3456BDV-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-TSOP |
SI3456BDV-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI3456BDV-T1-E3 |
产品目录绘图 | DV-T1-E3 Series 6-TSOP |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 6A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 13nC @ 10V |
功率 - 最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI3456BDV-T1-E3CT |